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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0770735 (2007-06-29) |
등록번호 | US7867914 (2010-12-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 292 |
An apparatus and method for forming an integrated barrier layer on a substrate is described. The integrated barrier layer comprises at least a first refractory metal layer and a second refractory metal layer. The integrated barrier layer is formed using a dual-mode deposition process comprising a ch
What is claimed is: 1. A method for forming an integrated barrier material on a substrate, comprising:positioning a substrate within a process chamber;forming an integrated barrier layer on the substrate by a cyclical deposition process and a chemical vapor deposition process, wherein the integrated
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