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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0608286 (2006-12-08) |
등록번호 | US7867919 (2010-12-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 362 |
Lanthanum-metal oxide dielectric layers and methods of fabricating such dielectric layers provide an insulating layer in a variety of structures for use in a wide range of electronic devices and systems. In an embodiment, a lanthanum aluminum oxide dielectric layer is formed using a trisethylcyclope
What is claimed is: 1. A method comprising:providing a controller; andcoupling an integrated circuit to the controller, wherein at least one of the integrated circuit or the controller includes a dielectric region containing a lanthanum-metal oxide layer, the metal being a metal other than lanthanum
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