최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0054914 (2008-03-25) |
등록번호 | US7875881 (2011-01-10) |
우선권정보 | JP-2007-007-096977(2007-04-03) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 40 |
Objects are to solve inhibition of miniaturization of a memory element and complexity of a manufacturing process thereof and to provide a nonvolatile memory device and a semiconductor device each having the memory device, in which data can be additionally written except at the time of manufacture an
What is claimed is: 1. A memory device comprising:a plurality of memory elements each comprising:a first conductive layer on an insulating film;a second conductive layer on the insulating film, wherein the second conductive layer is disposed beside the first conductive layer; anda mixed film formed
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.