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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0538511 (2003-12-05) |
등록번호 | US7879725 (2011-01-18) |
우선권정보 | KR-2002-0-2002-0078016(2002-12-09) |
국제출원번호 | PCT/KR03/02660 (2003-12-05) |
§371/§102 date | 20050609 (20050609) |
국제공개번호 | WO04/053970 (2004-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
In a stripping composition for easily removing a photoresist without an adverse effect and a method of manufacturing a TFT substrate for an LCD device using the same, the stripping composition includes acetic acid and ozone gas contained in the acetic acid as a bubble form to remove the photoresist
The invention claimed is: 1. A method of forming a pattern, the method comprising:forming a photoresist pattern including novolak on a layer formed on a substrate;etching the layer using the photoresist pattern using as a mask to form a pattern on the substrate; andremoving the photoresist pattern u
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