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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0972578 (2004-10-25) |
등록번호 | US7884353 (2011-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 155 |
Semiconductor structures and devices including strained material layers having impurity-free zones, and methods for fabricating same. Certain regions of the strained material layers are kept free of impurities that can interdiffuse from adjacent portions of the semiconductor. When impurities are pre
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising:at least one strained region having a distal zone;a gate dielectric disposed over the distal zone; anda gate electrode disposed over the gate dielectric;wherein the at least one strained region, the gate dielectric, and the gate electrode are
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