최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0465908 (2009-05-14) |
등록번호 | US7893502 (2011-02-08) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
An epitaxial semiconductor layer may be formed in a first area reserved for p-type field effect transistors. An ion implantation mask layer is formed and patterned to provide an opening in the first area, while blocking at least a second area reserved for n-type field effect transistors. Fluorine is
What is claimed is: 1. A semiconductor structure comprising:a p-type field effect transistor including a first gate stack and located on a semiconductor substrate, said first gate stack including, from bottom to top, a first high dielectric constant (high-k) gate dielectric having a dielectric const
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.