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Write-assisted SRAM bit cell 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-011/40
출원번호 US-0581231 (2006-10-12)
등록번호 US-RE42145 (2011-02-02)
발명자 / 주소
  • Hobson, Richard F.
대리인 / 주소
    McDonnell Boehnen Hulbert & Berghoff LLP
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 16

초록

An SRAM bit cell with cross-coupled inverters has separate write and read buses. Writing is performed through an NMOS pass transistor. Reading is performed through a PMOS transistor. Because the NMOS transistor does not pass a logic 1 as easily as logic 0, assistance is needed to speed up writing of

대표청구항

What is claimed is: 1. A memory bit cell comprising cross-coupled first and second inverters, each one of the inverters further comprising a pull-up transistor and a pull-down transistor having series-connected terminals defining a storage node, a first pass transistor coupled between a write bus a

이 특허에 인용된 특허 (16)

  1. Lu Hsindao (3308 Foxboro Dr. Richardson TX 75082), Bit lines write circuit for SRAM memories.
  2. Robert C. Wong, CMOS SRAM cell with PFET passgate devices.
  3. Hobson Richard F.,CAX, Compact multiport static random access memory cell.
  4. Inui Takashi (Dallas TX) Sukegawa Shunichi (Plano TX), Driving circuit for providing a voltage boasted over the power supply voltage source as a driving signal.
  5. Deschene Daniel J., Five transistor SRAM cell.
  6. Lien Chuen-Der ; Wu Chau Chin, Five-transistor SRAM cell.
  7. Batson Kevin Arthur ; Ross ; Jr. Robert Anthony, Four device SRAM cell with single bitline.
  8. Sharp Owen (Aptos CA), Integrated circuit dual port static memory cell.
  9. Danilo Rimondi IT, Low power SRAM memory cell having a single bit line.
  10. Rimondi Danilo,ITX, Low power SRAM memory cell having a single bit line.
  11. Houston Theodore W. (Richardson TX), Memory having selected state on power-up.
  12. Berthold Jorg,DEX ; Dresel Jurgen,DEX, Method for operating a SRAM MOS transistor memory cell.
  13. Park, Heechoul; Chin, Wilson; Lin, Kuan-Yu James; Dharmasena, Sanjaya, Read assist circuit of SRAM with low standby current.
  14. Hodges Robert Louis ; Sigmund Frank, SRAM cell with p-channel pull-up sources connected to bit lines.
  15. Anami Kenji (Hyogo-ken JPX) Hirose Toshihiko (Hyogo-ken JPX) Murakami Shuji (Hyogo-ken JPX) Yuzuriha Kojiro (Hyogo-ken JPX), Static random access memory device having a single bit line configuration.
  16. Kuo James B.,TWX ; Wang Bo-Ting,TWX, Two-port 6T CMOS SRAM cell structure for low-voltage VLSI SRAM with single-bit-line simultaneous read-and-write access (SBLSRWA) capability.

이 특허를 인용한 특허 (7)

  1. Chand Sk, Md Rahim; Lad, Nikhil, Memory device having multi-port memory cell with expandable port configuration.
  2. van Bentum, Ralf; Mohapatra, Nihar-Ranjan, Method of improving memory cell device by ion implantation.
  3. Butt, Shahid Ahmad; Castalino, Pamela; Pilo, Harold, SRAM circuit with increased write margin.
  4. Walker, Darryl G., Semiconductor devices, circuits and methods for read and/or write assist of an SRAM circuit portion based on voltage detection and/or temperature detection circuits.
  5. Walker, Darryl G., Semiconductor devices, circuits and methods for read and/or write assist of an SRAM circuit portion based on voltage detection and/or temperature detection circuits.
  6. Walker, Darryl G., Semiconductor devices, circuits and methods for read and/or write assist of an SRAM circuit portion based on voltage detection and/or temperature detection circuits.
  7. Walker, Darryl G., Testing a semiconductor device including a voltage detection circuit and temperature detection circuit that can be used to generate read assist and/or write assist in an SRAM circuit portion and method therefor.
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