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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0825678 (2007-07-09) |
등록번호 | US7906429 (2011-03-01) |
우선권정보 | JP-1999-1-175937(1999-06-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device having good TFT characteristics is realized. By using a high purity target as a target, using a single gas, argon (Ar), as a sputtering gas, setting the substrate temperature equal to or less than 300° C., and setting the sputtering gas pressure from 1.0 Pa to 3.0 Pa, the film
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of:forming a metal nitride film over a substrate by a sputtering method using argon as a sputtering gas;forming a film comprising tungsten on the metal nitride film by a sputtering method using argon as a s
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