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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0630893 (2009-12-04) |
등록번호 | US7906825 (2011-03-01) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A germanium (Ge) short wavelength infrared (SWIR) imager and associated fabrication process are provided. The imager comprises a silicon (Si) substrate with doped wells. An array of pin diodes is formed in a relaxed Ge-containing film overlying the Si substrate, each pin diode having a flip-chip int
We claim: 1. A germanium (Ge) short wavelength infrared (SWIR) imager, the imager comprising:a silicon (Si) substrate with doped wells;an array of pin diodes formed in a relaxed Ge-containing film overlying the Si substrate, each pin diode having a flip-chip interface;a Ge/Si interface;a doped Ge-co
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