최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0471175 (2009-05-22) |
등록번호 | US7911034 (2011-03-08) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 0 |
A method for patterning CNTs on a wafer wherein a CNT layer is provided on a substrate, a hard mask film is deposited on the CNT layer, a BARC layer (optional) is coated on the hard mask film, and a resist is patterned on the BARC layer (or directly on the hard mask film if the BARC layer is not inc
The invention claimed is: 1. A semiconductor device having a pattern of carbon nanotubes (CNT), wherein the semiconductor device is patterned according to the following method:providing a substrate, wherein the substrate has a CNT layer thereon;depositing a hard mask film on the CNT layer;coating a
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.