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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0065790 (2006-09-04) |
등록번호 | US7922990 (2011-03-28) |
우선권정보 | DE-2005-0 2005 042 753(2005-09-08) |
국제출원번호 | PCT/EP2006/065943 (2006-09-04) |
§371/§102 date | 20080305 (20080305) |
국제공개번호 | WO07/028776 (2007-03-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
A fluidized bed process for the production of polycrystalline silicon granules supplies, in addition to reaction gas, a gas containing 99.5 to 95 mol. percent hydrogen and 0.5 to 5 mol. percent gaseous silicon compounds, and the reactor wall is maintained at the same or a higher temperature than the
The invention claimed is: 1. A method for the production of granulated polycrystalline silicon comprising depositing a reaction gas containing a gaseous silicon compound as silicon metal on silicon particles in a reaction zone of a fluidized bed reactor with a hot surface at a reaction temperature
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