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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0263182 (2005-10-31) |
등록번호 | US7923779 (2011-03-28) |
우선권정보 | JP-1998-0-318197(1998-11-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0 |
The present invention relates to a semiconductor device including a circuit composed of thin film transistors having a novel GOLD (Gate-Overlapped LDD (Lightly Doped Drain)) structure. The thin film transistor comprises a first gate electrode and a second electrode being in contact with the first ga
What is claimed is: 1. A semiconductor element having a top gate type LDD structure located on a substrate, comprising:a lower gate electrode on a gate insulating film, having a top surface and side surfaces;an upper gate electrode being in contact with the top surface and side surfaces of the lower
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