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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0833850 (2010-07-09) |
등록번호 | US7935582 (2011-04-19) |
우선권정보 | JP-2005-005-258263(2005-09-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 203 인용 특허 : 0 |
An amorphous oxide containing hydrogen (or deuterium) is applied to a channel layer of a transistor. Accordingly, a thin film transistor having superior TFT properties can be realized, the superior TFT properties including a small hysteresis, normally OFF operation, a high ON/OFF ratio, a high satur
The invention claimed is: 1. A method for manufacturing an amorphous oxide film which contains In or Zn and which is used as a channel layer of a field effect transistor, the amorphous oxide film showing an electron carrier concentration and an electron mobility such that the electron mobility tends
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