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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0888312 (2007-07-30) |
등록번호 | US7972970 (2011-06-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 59 |
An etching process for selectively etching exposed metal surfaces of a substrate and forming a conductive capping layer over the metal surfaces is described. In some embodiments, the etching process involves oxidation of the exposed metal to form a metal oxide that is subsequently removed from the s
What is claimed is: 1. A method of isotropically etching copper-containing portions of a partially fabricated semiconductor substrate containing a region of copper-containing metal, the method comprising:(a) receiving the partially fabricated semiconductor substrate comprising an exposed region of
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