최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0219026 (2008-07-15) |
등록번호 | US7998844 (2011-08-03) |
우선권정보 | JP-1993--294633(1993-10-29) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 57 |
A process for fabricating a highly stable and reliable semiconductor, comprising: coating the surface of an amorphous silicon film with a solution containing a catalyst element capable of accelerating the crystallization of the amorphous silicon film, and heat treating the amorphous silicon film the
What is claimed: 1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of:forming a semiconductor film comprising amorphous silicon over a substrate;forming an oxide film on the semiconductor film;disposing a material which contains a metal on the oxide film, the metal being capa
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.