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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0108500 (2008-04-23) |
등록번호 | US7999176 (2011-08-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 12 |
Improved photovoltaic devices and methods are disclosed. In one embodiment, an exemplary photovoltaic device includes a semiconductor layer and a light-responsive layer (which can be made, for example, of a semiconductor material) which form a junction, such as a p-n junction. The light-responsive l
What is claimed is: 1. A photovoltaic device, comprising:a first semiconductor layer; anda second light-responsive layer forming a junction with the first layer, the junction including a depletion region;wherein the second layer includes a mesh of carbon nanostructures at least partially embedded th
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