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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0120459 (2008-05-14) |
등록번호 | US8003425 (2011-08-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 51 |
Protuberances, having vertical and lateral dimensions less than the wavelength range of lights detectable by a photodiode, are formed at an optical interface between two layers having different refractive indices. The protuberances may be formed by employing self-assembling block copolymers that for
What is claimed is: 1. A method of forming a semiconductor structure comprising:providing a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate comprising a semiconductor layer, a buried insulator layer, and a handle substrate;forming a photodiode on a top surface of said semiconductor layer;removing said ha
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