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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0281041 (2007-06-14) |
등록번호 | US8017024 (2011-08-30) |
우선권정보 | KR-2006-0-2006-0053826(2006-06-15) |
국제출원번호 | PCT/KR2007/002880 (2007-06-14) |
§371/§102 date | 20080828 (20080828) |
국제공개번호 | WO07/145474 (2007-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 5 |
There is provided a method for continual preparation of granular polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor, enabling a stable, long-term operation of the reactor by effective removal of silicon deposit accumulated on the inner wall of the reactor tube. The method comprises (i) a silicon
The invention claimed is: 1. A method for preparation of polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor for preparation of granular polycrystalline silicon,wherein a reaction gas outlet of a reaction gas supplying means, that supplies a silicon-containing reaction gas so that silicon depositi
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