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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0092500 (2005-03-29) |
등록번호 | US8018058 (2011-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 81 |
A method of forming a circuit includes providing a substrate; providing an interconnect region positioned on the substrate; bonding a device structure to a surface of the interconnect region; and processing the device structure to form a first stack of layers on the interconnect region and a second
The invention claimed is: 1. A semiconductor device, comprising:an electrode;a first stack of material layers, wherein the first stack is carried by the electrode;a second stack of material layers positioned on the first stack, the first and second stacks having different widths; andfirst and second
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