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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0534857 (2009-08-04) |
등록번호 | US8021481 (2011-09-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 38 인용 특허 : 51 |
A method for large-scale manufacturing of gallium nitride includes a process for reducing and/or minimizing contamination in the crystals, for solvent addition to an autoclave, for improving or optimizing the solvent atmosphere composition, for removal of the solvent from the autoclave, and for recy
What is claimed is: 1. A process for growing a crystalline gallium-containing nitride, the process comprising:providing an autoclave comprising gallium-containing feedstock in one zone and at least one seed in another zone;introducing a solvent capable of forming a supercritical fluid into at least
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