최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0901176 (2010-10-08) |
등록번호 | US8034710 (2011-09-27) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
The invention provides semiconductor interconnect structures that have improved reliability and technology extendibility. In the present invention, a second metallic capping layer is located on a surface of a first metallic cap layer which is, in turn, located on a surface of the conductive feature
What is claimed is: 1. A method of forming a semiconductor structure comprising:providing a semiconductor structure including a first interconnect level comprising at least one conductive feature embedded within a first dielectric material, said at least one conductive feature including a first meta
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.