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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0022533 (2008-01-30) |
등록번호 | US8043659 (2011-10-12) |
우선권정보 | JP-2007-007-022332(2007-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 1 |
A substrate processing method capable of controlling the internal pressure of a processing chamber to a high pressure and exhausting gases within the processing chamber at a high rate. The substrate processing method is for use in a substrate processing apparatus having a processing chamber, a suppl
What is claimed is: 1. A substrate processing method for use in a substrate processing apparatus having a processing chamber adapted to house substrates, a supply unit adapted to supply a processing gas into the processing chamber, a first pipe connected to the processing chamber at one end thereof,
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