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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0076789 (2008-03-24) |
등록번호 | US8048728 (2011-10-17) |
우선권정보 | JP-2007-007-106578(2007-04-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 51 |
A manufacturing method is provided which achieves an SOI substrate with a large area and can improve productivity of manufacture of a display device using the SOI substrate. A plurality of single-crystalline semiconductor layers are bonded to a substrate having an insulating surface, and a circuit i
The invention claimed is: 1. A method for manufacturing a display device, comprising the steps of:implanting an ion into a first substrate to form a first single-crystalline semiconductor layer;cutting the first single-crystalline semiconductor layer into a plurality of single-crystalline semiconduc
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