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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0571415 (2009-09-30) |
등록번호 | US8049104 (2011-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
A donor silicon wafer may be bonded to a substrate and a lamina cleaved from the donor wafer. A photovoltaic cell may be formed from the lamina bonded to the substrate. An intermetal stack is described that is optimized for use in such a cell. The intermetal stack may include a transparent conductiv
What is claimed is: 1. A method comprising the steps of:providing a substantially crystalline semiconductor lamina and a receiver element, wherein a transparent conductive oxide layer and a metal layer or stack are disposed between the lamina and the receiver element; andheating the lamina, receiver
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