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Process for transferring a layer of strained semiconductor material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/12
출원번호 US-0862471 (2010-08-24)
등록번호 US8049224 (2011-10-17)
우선권정보 FR-2002-2 08602(2002-07-09)
발명자 / 주소
  • Ghyselen, Bruno
  • Bensahel, Daniel
  • Skotnicki, Thomas
출원인 / 주소
  • S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
대리인 / 주소
    Winston & Strawn LLP
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 27

초록

Semiconductor wafers having a thin layer of strained semiconductor material. These structures include a substrate; an oxide layer upon the substrate; a silicon carbide (SiC) layer upon the oxide layer, and a strained layer of a semiconductor material in a strained state upon the silicon carbide laye

대표청구항

What is claimed is: 1. A semiconductor substrate comprising:a first layer of semiconductor material;a strained layer of a semiconductor material in a strained state upon the first layer;a silicon carbide (SiC) layer upon the strained layer for retaining the strained layer in the strained state; anda

이 특허에 인용된 특허 (27)

  1. Leland S. Swanson ; Gregory E. Howard, Blocking of boron diffusion through the emitter-emitter poly interface in PNP HBTs through use of a SiC layer at the top of the emitter epi layer.
  2. Kub Francis J. ; Hobart Karl D., Fabrication ultra-thin bonded semiconductor layers.
  3. Christophe Maleville FR; Thierry Barge FR; Bernard Aspar FR; Hubert Moriceau FR; Andre-Jacques Auberton-Herve FR, Heat treatment method for semiconductor substrates.
  4. Kazuaki Ohmi JP; Takao Yonehara JP; Kiyofumi Sakaguchi JP; Kazutaka Yanagita JP, Method and apparatus for separating composite member using fluid.
  5. Henley, Francois J.; Cheung, Nathan W., Method and device for controlled cleaving process.
  6. Tayanaka Hiroshi,JPX, Method for making thin film semiconductor.
  7. Aga, Hiroji; Tate, Naoto; Kuwabara, Susumu; Mitani, Kiyoshi, Method for producing SOI wafer and SOI wafer.
  8. Gosele, Ulrich; Plossl, Andreas, Method for the manufacture of a substrate, substrate manufactured in accordance with this method, carrier wafer and diamond jewel.
  9. Kobayashi, Norihiro; Akiyama, Shoji; Matsumoto, Yuuichi; Tamatsuka, Masaro, Method for thermally annealing silicon wafer and silicon wafer.
  10. Barge,Thierry; Auberton Herve,Andr챕; Aga,Hiroji; Tate,Naoto, Method for treating substrates for microelectronics and substrates obtained according to said method.
  11. Hiroji Aga JP; Naoto Tate JP; Kiyoshi Mitani JP, Method of Fabricating SOI wafer by hydrogen ION delamination method and SOI wafer fabricated by the method.
  12. Shunpei Yamazaki JP; Hisashi Ohtani JP, Method of fabricating a high reliable SOI substrate.
  13. Bin Yu ; William G. En ; Judy Xilin An ; Concetta E. Riccobene, Method of fabrication of semiconductor-on-insulator (SOI) wafer having a Si/SiGe/Si active layer.
  14. Godbey David J. (Bethesda MD) Hughes Harold L. (West River MD) Kub Francis J. (Severna Park MD), Method of producing a thin silicon-on-insulator layer.
  15. Maa, Jer-Shen; Tweet, Douglas J.; Hsu, Sheng Teng; Lee, Jong-Jan, Molecular hydrogen implantation method for forming a relaxed silicon germanium layer with high germanium content.
  16. Canaperi, Donald F.; Chu, Jack Oon; D'Emic, Christopher P.; Huang, Lijuan; Ott, John Albrecht; Wong, Hon-Sum Philip, Preparation of strained Si/SiGe on insulator by hydrogen induced layer transfer technique.
  17. Hernandez, Caroline; Campidelli, Yves; Bensahel, Daniel, Process for obtaining a layer of single-crystal germanium on a substrate of single-crystal silicon, and products obtained.
  18. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX ; Nishida Shoji,JPX ; Yamagata Kenji,JPX, Process for producing semiconductor article.
  19. Cheng, Zhi-Yuan; Fitzgerald, Eugene A.; Antoniadis, Dimitri A.; Hoyt, Judy L., Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth.
  20. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  21. Usuda, Koji; Takagi, Shinichi, Semiconductor device and method of manufacturing the same.
  22. Cheng, Zhi-Yuan; Fitzgerald, Eugene A.; Antoniadis, Dimitri A.; Hoyt, Judy L., Semiconductor substrate structure.
  23. Srikrishnan Kris V., Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films.
  24. Chu Jack Oon ; Ismail Khalid EzzEldin, Strained Si/SiGe layers on insulator.
  25. Chu Jack Oon ; Ismail Khalid EzzEldin, Strained Si/SiGe layers on insulator.
  26. Rim, Kern, Strained silicon on insulator structures.
  27. Kang Sien G. ; Malik Igor J., Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates.
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