최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0435721 (2009-05-05) |
등록번호 | US8058115 (2011-11-01) |
우선권정보 | KR-2008-0-2008-0074124(2008-07-29) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
Provided is a method of fabricating an organic thin film transistor (OTFT) using surface energy control. The method changes a polarity of a gate insulating layer to a polarity of a semiconductor channel layer to be formed on the gate insulating layer by controlling surface energy of the gate insulat
What is claimed is: 1. A method of fabricating an organic thin film transistor (OTFT) using surface energy control, comprising:forming a gate electrode on a substrate, and forming a gate insulating layer on the entire surface of the substrate;controlling surface energy of the gate insulating layer,
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.