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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0467035 (2009-05-15) |
등록번호 | US8076215 (2011-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 14 |
A method of forming an electronic device can include forming a patterned layer adjacent to a side of a substrate including a semiconductor material. The method can also include separating a semiconductor layer and the patterned layer from the substrate, wherein the semiconductor layer is a portion o
What is claimed is: 1. A method comprising:forming a first junction in a semiconductor substrate;forming a region of hydrogen in the semiconductor substrate;forming a dielectric layer over a first side of a semiconductor substrate;patterning the dielectric layer to form a patterned dielectric layer
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