최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0633435 (2009-12-08) |
등록번호 | US-8093636 (2012-01-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 4 |
A complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor includes a photodiode, a gate pattern of a transfer transistor contacting one side of the photodiode, a gate pattern of a drive transistor disposed to have a predetermined spacing distance from the gate pattern of the transfer transistor,
1. A complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor comprising: a first photodiode;a floating diffusion node disposed at a predetermined distance from the first photodiode;a portion of a gate pattern for a first transfer transistor disposed between the first photodiode and the floating
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.