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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0384211 (2009-04-02) |
등록번호 | US-8107777 (2012-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 9 |
Polyimide substrates are bonded to germanium wafers having an epitaxially grown III-V layer and a metal layer. The polyimide substrate and the Ge, wafer are subsequently thinned by grinding and etching to reach a final thickness of 25 μms Ge on 25 μms adhesive layer on 50 μms polyimide substrate. Th
1. A substrate for a circuit structure comprising: a planar substrate mass of bulk polyimide material having a first side and a second side, said first side having a surface smoothness between about 0.025 μinch and 100 μinch, said polyimide substrate having a thickness less than about 150 μm, capabl
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