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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0003342 (2010-01-22) |
등록번호 | US-8114341 (2012-02-14) |
우선권정보 | JP-2009-028005 (2009-02-10) |
국제출원번호 | PCT/JP2010/050762 (2010-01-22) |
§371/§102 date | 20110216 (20110216) |
국제공개번호 | WO2010/092863 (2010-08-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 17 |
Provided are a nickel alloy sputtering target, and a nickel silicide film formed with such a target, enabling the formation of a thermally stable silicide (NiSi) film, scarcely causing the aggregation of films or excessive formation of silicides, having low generation of particles upon forming the s
1. A nickel alloy sputtering target containing 22 to 46 wt % of platinum and 5 to 100 wtppm of one or more components selected from iridium, palladium, and ruthenium, and remainder is nickel and inevitable impurities.
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