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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0076916 (2008-03-25) |
등록번호 | US-8129612 (2012-03-06) |
우선권정보 | JP-2007-101781 (2007-04-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 16 |
There is disclosed a method for manufacturing a single-crystal silicon solar cell including the steps of: implanting a hydrogen ion or a rare gas ion into a single-crystal silicon substrate; forming a transparent insulator layer on a metal substrate; performing a surface activation treatment with re
1. A method for manufacturing a single-crystal silicon solar cell in which at least a metal substrate, a single-crystal silicon layer as a light conversion layer, and a transparent protective film are laminated and the transparent protective film side serves as a light receiving surface, the method
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