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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921035 (2006-05-23) |
등록번호 | US-8147656 (2012-04-03) |
우선권정보 | DE-10 2005 024 041 (2005-05-25) |
국제출원번호 | PCT/DE2006/000891 (2006-05-23) |
§371/§102 date | 20071126 (20071126) |
국제공개번호 | WO2006/125425 (2006-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 18 |
The present invention relates to a method for the production of silicon from silyl halides. In a first step, the silyl halide is converted, with the generation of a plasma discharge, to a halogenated polysilane, which is subsequently decomposed to silicon, in a second step, with heating.
1. Method for the production of silicon from silyl halides, wherein in a first step, a gas comprising a silyl halide in the gaseous state is led into a reactor and the silyl halide in the gaseous state is converted, with the generation of a plasma discharge, to a halogenated polysilane, which is sub
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