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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021640 (2011-02-04) |
등록번호 | US-8183646 (2012-05-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 341 |
A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/dra
1. A transistor comprising: a gate dielectric layer formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate;a gate electrode formed on the gate dielectric layer; anda pair of source/drain regions on opposite sides of the gate electrode, the pair of source/drain regions comprising a doped semiconductor film
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