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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0264393 (2002-10-04) |
등록번호 | US-8187377 (2012-05-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 168 |
The present invention provides for treating a surface of a semiconductor material. The method comprises exposing the surface of the semiconductor material to a halogen etchant in a hydrogen environment at an elevated temperature. The method controls the surface roughness of the semiconductor materia
1. A method of fabricating a semiconductor comprising: heating a strained semiconductor material; andupon the heated strained semiconductor material reaching about 700° C.; annealing the heated strained semiconductor material in an etching ambient sufficient to relax the strained semiconductor mater
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