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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0973616 (2010-12-20) |
등록번호 | US-8216951 (2012-07-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 256 |
Structures include a tunneling device disposed over first and second lattice-mismatched semiconductor materials. Process embodiments include forming tunneling devices over lattice-mismatched materials.
1. A method for forming a structure, the method comprising: forming an opening above a region of a substrate comprising a first crystalline semiconductor material, the opening being defined by a dielectric sidewall and an exposed surface of the substrate, the opening having a width, the dielectric s
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