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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0837016 (2007-08-10) |
등록번호 | US-8222073 (2012-07-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
A process for fabricating a thin film transistor comprising: (a) forming a gate dielectric; (b) forming a layer including a substance comprising a fluorocarbon structure; and (c) forming a semiconductor layer including a thiophene compound comprising one or more substituted thiophene units, one or m
1. A process for fabricating a thin film transistor comprising: (a) forming a gate dielectric;(b) forming a layer comprising a fluorine-containing polymer selected from the group consisting of polychlorotrifluoroethylene, poly(vinyl fluoride), and poly(vinylidene fluoride); and(c) forming a semicond
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