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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0750364 (2010-03-30) |
등록번호 | US-8222139 (2012-07-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 35 |
A method includes forming conductive material in a contact hole and a TSV opening, and then performing one step to remove portions of the conductive material outside the contact hole and the TSV opening to leave the conductive material in the contact hole and the TSV opening, thereby forming a conta
1. A method of forming a through-silicon via (TSV) structure, comprising: providing a semiconductor substrate having a first region and a second region;forming a dielectric layer on the semiconductor substrate, wherein the dielectric layer comprises a first opening in the first region;forming a firs
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