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Method for detecting substrate position of charged particle beam photolithography apparatus and charged particle beam photolithography apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01N-021/86
  • G01V-008/00
출원번호 US-0778472 (2010-05-12)
등록번호 US-8237139 (2012-08-07)
우선권정보 JP-2009-117154 (2009-05-14)
발명자 / 주소
  • Fujiwara, Kota
  • Yamanaka, Yoshiro
  • Kawaguchi, Michihiro
  • Shiba, Kazuhiro
출원인 / 주소
  • NuFlare Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4

초록

One aspect of the invention provides a substrate position detecting method for charged particle beam photolithography apparatus in order to be able to measure accurately and simply a substrate position on a stage. The substrate position detecting method for charged particle beam photolithography app

대표청구항

1. A substrate position detecting method for charged particle beam photolithography apparatus, the method comprising: placing a substrate on a stage configured to move horizontally in an X-direction and a Y-direction, the X-direction and Y-direction being orthogonal to each other;measuring a positio

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. McCord, Mark; Pei, Jun, Dual beam symmetric height systems and methods.
  2. Watanabe, Masahiro; Hiroi, Takashi; Tanaka, Maki; Shinada, Hiroyuki; Usami, Yasutsugu, Electron beam exposure or system inspection or measurement apparatus and its method and height detection apparatus.
  3. Reich,Juergen; Kruptesky,Yevgeny; Wolters,Christian, Methods and systems for determining drift in a position of a light beam with respect to a chuck.
  4. Braun Paul A. (Simi Valley CA) Ormsby Michael W. (Thousand Oaks CA) De Zotell Gary L. (Simi Valley CA), System and method for analyzing dimensions of can tops during manufacture.
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