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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0599680 (2009-03-26) |
등록번호 | US-8247309 (2012-08-21) |
우선권정보 | FR-08 52014 (2008-03-28) |
국제출원번호 | PCT/EP2009/053579 (2009-03-26) |
§371/§102 date | 20110113 (20110113) |
국제공개번호 | WO2009/118374 (2009-10-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
In order to reduce and render uniform the surface roughness and variations in thickness of a layer after detachment (post-fracture) of a donor substrate, the mean temperature of the donor substrate during implantation thereof is controlled so as to be in the range 20° C. to 150° C. with a maximum te
1. A method of reducing surface roughness and improving thickness uniformity in a transfer layer that is transferred from a donor substrate of semiconductor material onto a receiving substrate, which method comprises: disposing the donor substrate on a circular gasket held by a platen so as to defin
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