최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0049911 (2011-03-17) |
등록번호 | US-8247310 (2012-08-21) |
우선권정보 | TW-100102407 A (2011-01-24) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
A method for making a GaN substrate for growth of nitride semiconductor is provided. The method first provides a GaN single crystal substrate. Then an ion implanting layer is formed inside the GaN single crystal substrate, which divides the GaN single crystal substrate into a first section and a sec
1. A method for making a GaN substrate, comprising steps of: providing a GaN single crystal substrate;forming an ion implanting layer inside the GaN single crystal substrate, the ion planting layer dividing the GaN single crystal substrate into a first section and a second section;providing an assis
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.