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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0822326 (2010-06-24) |
등록번호 | US-8259464 (2012-09-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
WLP semiconductor devices include bump assemblies that have a barrier layer for inhibiting electromigration within the bump assemblies. In an implementation, the bump assemblies include copper posts formed on the integrated circuit chips of the WLP devices. Barrier layers formed of a metal such as n
1. A WLP device comprising: an integrated circuit chip; anda bump assembly formed on the integrated circuit chip, the bump assembly including a copper post having an outer surface, a barrier layer formed on the outer surface to inhibit electromigration in the bump assembly, an oxidation prevention c
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