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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0273712 (2011-10-14) |
등록번호 | US-8273610 (2012-09-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 43 인용 특허 : 288 |
A method of manufacturing a semiconductor device, the method including, providing a first monocrystalline layer including semiconductor regions, overlaying the first monocrystalline layer with an isolation layer, transferring a second monocrystalline layer comprising semiconductor regions to overlay
1. A method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising: providing a first monocrystalline layer comprising first semiconductor regions;overlaying said first monocrystalline layer with at least one metal layer comprising aluminum or copper;transferring a second monocrystalline lay
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