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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0429455 (2009-04-24) |
등록번호 | US-8278802 (2012-10-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 6 |
A method of forming a device is provided. The method includes providing a substrate, forming a sacrificial layer over the substrate, and forming an field layer around the sacrificial layer. After formation, both the sacrificial layer and the field layer are planarized. A component is then formed ove
1. A device formed by a process comprising: providing a substrate;forming a sacrificial layer over the substrate;forming a field layer around the sacrificial layer;planarizing the sacrificial layer and the field layer;forming a component over the planarized sacrificial layer and the planarized field
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