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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0460898 (2009-07-24) |
등록번호 | US-8293619 (2012-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 231 |
A film of material may be formed by providing a semiconductor substrate having a surface region and a cleave region located at a predetermined depth beneath the surface region. During a process of cleaving the film from the substrate, shear in the cleave region is carefully controlled to achieve con
1. A method for cleaving a film of material from a substrate, the method comprising: providing a substrate having a face and a stressed layer located at a depth below the face;initiating cleaving within a vicinity of the stressed layer; andapplying external energy to propagate the cleaving using the
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