[특허]Composition for forming resist lower layer film

[미국특허] Composition for forming resist lower layer film 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	A61K-009/16 C08K-005/10
출원번호	US-0599694 (2008-05-21)
등록번호	US-8334338 (2012-12-18)
우선권정보	JP-2007-137012 (2007-05-23)
국제출원번호	PCT/JP2008/059387 (2008-05-21)
§371/§102 date	20091111 (20091111)
국제공개번호	WO2008/143302 (2008-11-27)
발명자 / 주소	Yoshimura, Nakaatsu Konno, Yousuke
출원인 / 주소	JSR Corporation
대리인 / 주소	Ditthavong Mori & Steiner, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 4

초록

A composition for forming a resist lower layer film, which contains (A) a resin, (B) a butyl ether group-containing crosslinking agent and (C) a solvent.

대표청구항 ▼

1. A composition for forming a resist lower layer film, which contains (A) a resin, (B) a butyl ether group-containing crosslinking agent and (C) a solvent, wherein the resin (A) is a polymer having at least one structural unit selected from the group of the structural units represented by the following formulas (3) to (6): R3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group; and R4 and R5 are each independently a monovalent atom or a monovalent organic group; R6 and R7 are each independently a monovalent atom or a monovalent organic group; R8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R9 is a monovalent atom or a monovalent organic group; R10s are a hydroxyl group, an alkyl group which may have a substituent of 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group which may have a substituent of 1 to 6 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group which may have a substituent of 2 to 10 carbon atoms, an aryl group which may have a substituent of 6 to 14 carbon atoms, or a glycidyl ether group which may have a substituent of 2 to 6 carbon atoms; n is an integer of 0 to 6; when n is 2 to 6, a plurality of R10s may be the same or different from each other; X is a methylene group, an alkylene group which may have a substituent of 2 to 20 carbon atoms, an arylene group which may have a substituent of 6 to 14 carbon atoms, or an alkylene ether group; m is an integer of 1 to 8; when m is 2 to 8, a plurality of Xs may be the same or different from each other; and n+m is an integer of 1 to 8, wherein the butyl ether group-containing crosslinking agent (B) is a nitrogen-containing cyclic compound having at least two butyl ether groups. 2. The composition for forming a resist lower layer film, according to claim 1, wherein the nitrogen-containing cyclic compound is a compound having a glycoluril skeleton or a triazine skeleton. 3. The composition for forming a resist lower layer film, according to claim 1, wherein the butyl ether group-containing crosslinking agent (B) is at least one kind of compound selected from the group of the compounds represented by the following formulas (1) and (2): R1s are each independently a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, with a proviso that at least two R1s are each a butyl group; R2s are each independently a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, with a proviso that at least two R2s are each a butyl group.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Edward W. Rutter, Jr. ; Peter Trefonas, III ; Edward K. Pavelchek, Aperture fill.
상세보기
Wang Fei ; Singh Bhanwar ; Kai James K., Dual damascene process using sacrificial spin-on materials.
상세보기
Hirayama,Taku; Takasu,Ryoichi; Sato,Mitsuru; Wakiya,Kazumasa; Yoshida,Masaaki; Tamura,Koki, Material for forming resist protecting film for use in liquid immersion lithography process, composite film, and method for forming resist pattern.
상세보기
Pavelchek Edward K. ; Adams Timothy G. ; doCanto Manuel ; Coley Suzanne ; Barclay George G., Planarizing antireflective coating compositions.
상세보기

이 특허를 인용한 특허 (24)

Su, Yu-Chung; Chang, Ching-Yu; Wang, Wen-Yun, Anti-reflective layer and method.
상세보기
Su, Yu-Chung; Chang, Ching-Yu; Wang, Wen-Yun, Anti-reflective layer and method.
상세보기
Huang, Yu Yi; Kuo, Hung-Jui; Liu, Chung-Shi, Conductive line system and process.
상세보기
Huang, Yu Yi; Kuo, Hung-Jui; Liu, Chung-Shi, Conductive line system and process.
상세보기
Huang, Yu Yi; Kuo, Hung-Jui; Liu, Chung-Shi, Conductive line system and process.
상세보기
Su, Yu-Chung; Chang, Ching-Yu, Gap filling materials and methods.
상세보기
Chang, Ching-Yu; Liu, Chen-Yu, Method for manufacturing semiconductor device.
상세보기
Chang, Ching-Yu; Liu, Chen-Yu, Method for manufacturing semiconductor device.
상세보기
Lai, Wei-Han; Chang, Ching-Yu, Photoresist and method.
상세보기
Wu, Chen-Hau; Lai, Wei-Han; Chang, Ching-Yu, Photoresist and method.
상세보기
Wu, Chen-Hau; Lai, Wei-Han; Chang, Ching-Yu, Photoresist and method.
상세보기
Lin, Keng-Chu; Liou, Joung-Wei; Wu, Cheng-Han; Chang, Ya Hui, Photoresist and method of formation and use.
상세보기
Liu, Chen-Yu; Chang, Ching-Yu; Chen, Chien-Chih; Chen, Yen-Hao, Photoresist and method of manufacture.
상세보기
Wang, Wen-Yun; Chang, Ching-Yu, Photoresist defect reduction system and method.
상세보기
Wang, Wen-Yun; Chang, Ching-Yu, Photoresist defect reduction system and method.
상세보기
Liu, Chen-Yu; Chang, Ching-Yu, Photoresist layer and method.
상세보기
Chen, Chien-Chih; Wu, Cheng-Han; Chang, Ching-Yu, Photoresist system and method.
상세보기
Lai, Wei-Han; Chang, Ching-Yu, Photoresist system and method.
상세보기
Wang, Wen-Yun; Wu, Cheng-Han, Photoresist system and method.
상세보기
Wu, Chen-Hau; Chang, Ching-Yu, Photoresist system and method.
상세보기
Wu, Chen-Hau; Chang, Ching-Yu, Photoresist system and method.
상세보기
Wu, Chen-Hau; Chang, Ching-Yu, Photoresist system and method.
상세보기
Su, Yu-Chung; Chang, Ching-Yu, Polymer resin comprising gap filling materials and methods.
상세보기
Liu, Chen-Yu; Chang, Ching-Yu, Unlocking layer and method.
상세보기

활용도 분석정보

상세보기

다운로드

내보내기

활용도 Top5 특허

해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

[미국특허] Composition for forming resist lower layer film 원문보기

초록

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

이 특허에 인용된 특허 (4)

이 특허를 인용한 특허 (24)

활용도 분석정보

활용도 Top5 특허

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

[미국특허] Composition for forming resist lower layer film 원문보기

초록

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

이 특허에 인용된 특허 (4)

이 특허를 인용한 특허 (24)

활용도 분석정보

활용도 Top5 특허 더보기

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

활용도 Top5 특허