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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0328179 (2011-12-16) |
등록번호 | US-8338886 (2012-12-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 30 |
A vertical semiconductor device includes a bottom metal layer and a first P-type semiconductor layer overlying the bottom metal layer. The first P-type semiconductor layer is characterized by a surface crystal orientation of (110) and a first conductivity. The first P-type semiconductor layer is hea
1. A vertical semiconductor device, comprising: a bottom metal layer;a first P-type semiconductor layer overlying the bottom metal layer, the first P-type semiconductor layer being characterized by a surface crystal orientation of (110) and a first conductivity, the first P-type semiconductor layer
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