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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0329677 (2008-12-08) |
등록번호 | US-8338906 (2012-12-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 47 |
An integrated circuit structure has a metal silicide layer formed on an n-type well region, a p-type guard ring formed on the n-type well region and encircling the metal silicide layer. The outer portion of the metal silicide layer extends to overlap the inner edge of the guard ring, and a Schottky
1. An integrated circuit structure, comprising: a semiconductor substrate having a first area and two second areas separated from each other by shallow trench isolation (STI) regions;a well region of a first conductive type formed in the semiconductor substrate;a metal silicide layer formed on the w
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