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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0207291 (2011-08-10) |
등록번호 | US-8361225 (2013-01-29) |
우선권정보 | CN-2008 1 0000938 (2008-01-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
Systems and methods of manufacturing wafers are disclosed using a low EPD crystal growth process and a wafer annealing process are provided resulting in III-V/GaAs wafers that provide higher device yields from the wafer. In one exemplary implementation, there is provided a method of manufacturing a
1. A method of manufacturing a 6 inch diameter gallium arsenide wafer with a low etch pit density (EPD), the method comprising: performing a vertical gradient freeze (VGF) crystal growth process to grow a GaAs ingot, including: providing a crucible containing a seed crystal, GaAs raw material, and B
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