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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0735929 (2009-02-26) |
등록번호 | US-8378705 (2013-02-19) |
우선권정보 | JP-2008-050888 (2008-02-29) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/053602 (2009-02-26) |
§371/§102 date | 20100826 (20100826) |
국제공개번호 | WO2009/107747 (2009-09-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
A wiring substrate that allows wiring at a fine pitch and has a coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion of silicone, and a probe card that includes the wiring substrate are provided. To this end, there are provided a wiring substrate that includes a ceramic sub
1. A probe card that electrically connects a semiconductor wafer and a circuit structure that generates a signal to be output to the semiconductor wafer, by using a conductive probe that is extendable in a longitudinal direction, the probe card comprising: a wiring substrate comprising a ceramic sub
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