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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0628772 (2009-12-01) |
등록번호 | US-8389379 (2013-03-05) |
우선권정보 | FR-02 15550 (2002-12-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 169 |
A method of making a complex microelectronic structure by assembling two substrates through two respective linking surfaces, the structure being designed to be dissociated at a separation zone. Prior to assembly, in producing a state difference in the tangential stresses between the two surfaces to
1. A method for transferring a thin layer from a source substrate to a target substrate comprising the following steps: ionically implanting the source substrate through a face thereof to create a buried weakened layer at a particular depth relative to the face of the source substrate, a thin layer
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